韓國開發透明電極材料新技術 克服ITO缺點
CINNO Research 產業資訊,韓國研發出一種可替代對日依賴度高達70%的透明電極材料制程技術,期待以更優秀的性能材料實現在IT產品核心零部件的國產化。
10月16日韓國生產技術研究院納米光學融合技術Yoon Changhun博士團隊表示開發出一種在導電高分子上照射激光提升導電性能的制程技術,技術可應用為透明電極材料。傳統的透明電極普遍采用ITO,對日本進口的依賴度高達70%。除此之外,ITO雖然導電性優秀,但彎曲折疊時十分易碎。為此,也有很多相關與克服此種難題的新一代透明電極研發競爭。
而本次研發團隊利用一種塑料材質的導電高分子。可隨意變換形態,施加外部壓力也不會碎裂,可克服ITO的缺點。但最大的問題點為導電性能僅為ITO的千分之一,就算采用化學添加劑也無法媲美ITO的導電性能。研發團隊在導電高分子'PEDOT:PSS'透明電極上照射1064納米波長的紅外線,使得PEDOT裸露出來以提升導電性能。PEDOT:PSS透明電極是PSS保護皮包裹導電PEDOT的一種材料,照射激光時可以讓PEDOT裸露,隨之導電性也提升。
本次成果是首個以物理處理方式實現ITO薄膜水平的導電性能的案例。簡單的后段制程即可實現,有助于節省制造成本。同步還可以激光照射在透明電極上繪制Pattern。
Yoon Changhun博士表示:是一種偶然機會發現激光照射后導電高分子的阻抗下降的現象,并以此為契機研發出相應成果。此制程技術未來可應用于柔性顯示面板和穿戴、折疊太陽能板制作等領域。
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