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PCBA電遷移失效分析

2022-07-12  瀏覽量:1961

 

引言

 

無(wú)鉛化以后,由于無(wú)鉛焊料的潤(rùn)濕性下降嚴(yán)重,組裝缺陷率明顯上升。為此,最好的辦法就是提升或改善助焊劑的助焊性能。但是提升助焊性能的方法就是增加助焊劑中固體活性物質(zhì)的含量,而這些活性物質(zhì)往往具有較強(qiáng)的腐蝕性,如果焊接工藝配合不當(dāng)殘留在焊點(diǎn)周圍或線路板上,常常會(huì)導(dǎo)致腐蝕和電遷移等可靠性問(wèn)題。

 

本文以PCBA電遷移失效為例,詳細(xì)介紹電遷移失效機(jī)理與分析方法,并提出改善建議。

 

一、案例背景

 

委托方反饋,產(chǎn)品在服役過(guò)程中出現(xiàn)功能故障,初步分析鎖定在PCBA局部漏電異常, 現(xiàn)針對(duì)委托方提供的1pc NG樣品及1pc OK樣品進(jìn)行測(cè)試分析,查明PCBA局部漏電異常的原因和機(jī)理。

 

二、分析過(guò)程

 

1. 外觀檢查

為了確認(rèn)委托方鎖定漏電位置外觀是否存在異常,將失效樣品及正常樣品PCBA取出后,利用體視顯微鏡對(duì)漏電位置進(jìn)行光學(xué)檢查,結(jié)果如圖1所示。

失效樣品左、右兩個(gè)漏電位置都發(fā)現(xiàn)疑似異物殘留現(xiàn)象,殘留異物覆蓋部分焊盤表面;正常樣品同樣發(fā)現(xiàn)疑似異物殘留痕跡,程度較失效樣品輕微。

 

失效樣品漏電位置及正常樣品對(duì)應(yīng)位置外觀檢查照片

圖1. 失效樣品漏電位置及正常樣品對(duì)應(yīng)位置外觀檢查照片

 

2. 絕緣電阻測(cè)試

為確認(rèn)失效樣品是否存在漏電異常,將漏電位置相連線路割開后,利用漏電流測(cè)試儀分別對(duì)左、右兩個(gè)漏電位置進(jìn)行絕緣電阻測(cè)試,結(jié)果如下。

失效樣品左、右兩個(gè)漏電位置絕緣電阻分別為625.9MΩ及4.820MΩ,正常情況下兩處位置絕緣電阻無(wú)窮大,故失效樣品確實(shí)存在漏電異常。

 

失效樣品割線后左、右漏電位置

圖2. 失效樣品割線后左、右漏電位置

 

3. CT分析

利用CT三維斷層掃描技術(shù),對(duì)失效樣品兩個(gè)漏電位置進(jìn)行觀察分析,結(jié)果如圖3所示。

左、右兩個(gè)漏電位置均未觀察到明顯異常現(xiàn)象。

 

失效樣品左、右兩個(gè)漏電位置CT觀察照片

圖3. 失效樣品左、右兩個(gè)漏電位置CT觀察照片

 

4. 表面分析

利用電子掃描顯微鏡對(duì)失效樣品漏電位置及正常樣品對(duì)應(yīng)位置進(jìn)行形貌觀察與成分分析,結(jié)果如下。

失效樣品:如圖4及表1-2所示,漏電位置多處觀察到Sn遷移枝晶形貌及Sn結(jié)晶形貌,說(shuō)明漏電位置存在電化學(xué)遷移現(xiàn)象;漏電位置及周圍區(qū)域發(fā)現(xiàn)較多助焊劑殘留現(xiàn)象(助焊劑主要含有C、O、Sn元素),同時(shí)發(fā)現(xiàn)異物殘留(整體圖紅色箭頭所指)現(xiàn)象,異物含有異常K元素。

 

失效樣品漏電位置SEM圖片及EDS能譜圖

圖4. 失效樣品漏電位置SEM圖片及EDS能譜圖

 

表1. 失效樣品漏電位置局部成分測(cè)試結(jié)果(wt.%)

失效樣品漏電位置局部成分測(cè)試結(jié)果

 

表2. 失效樣品漏電位置整體成分測(cè)試結(jié)果(wt.%)

失效樣品漏電位置整體成分測(cè)試結(jié)果

 

正常樣品:如圖5及表3-4所示,對(duì)應(yīng)位置多處(局部1,局部2)觀察到Sn遷移枝晶形貌及Sn結(jié)晶形貌,說(shuō)明正常樣品對(duì)應(yīng)位置也存在電遷移現(xiàn)象,只是程度較失效樣品輕微;通孔之間區(qū)域(局部3)較失效樣品對(duì)應(yīng)位置未發(fā)現(xiàn)明顯Sn結(jié)晶形貌;成分測(cè)試結(jié)果顯示,正常樣品對(duì)應(yīng)位置同樣存在助焊劑殘留現(xiàn)象,但未發(fā)現(xiàn)異常K元素存在。

 

正常樣品對(duì)應(yīng)位置SEM圖片及EDS能譜圖

圖5. 正常樣品對(duì)應(yīng)位置SEM圖片及EDS能譜圖

 

表3. 正常樣品對(duì)應(yīng)位置局部成分測(cè)試結(jié)果(wt.%)

正常樣品對(duì)應(yīng)位置局部成分測(cè)試結(jié)果

 

表4. 正常樣品對(duì)應(yīng)位置整體成分測(cè)試結(jié)果(wt.%)

正常樣品對(duì)應(yīng)位置整體成分測(cè)試結(jié)果

 

5. FTIR分析

為了確認(rèn)失效樣品漏電位置異物成分,對(duì)失效樣品漏電位置及正常樣品對(duì)應(yīng)位置分別進(jìn)行紅外光譜分析(FTIR),結(jié)果如圖7所示。

FTIR測(cè)試結(jié)果顯示,NG樣品漏電位置異物含有脂肪酸鹽成分,與陰離子表面活性劑成分相似。

 

失效樣品及正常樣品FTIR測(cè)試位置

圖6. 失效樣品及正常樣品FTIR測(cè)試位置

 

失效樣品漏電位置及正常樣品對(duì)應(yīng)位置FTIR測(cè)試譜圖

圖7. 失效樣品漏電位置及正常樣品對(duì)應(yīng)位置FTIR測(cè)試譜圖

 

6.v剖面分析

為了觀察失效樣品漏電路徑,對(duì)失效樣品漏電位置及正常樣品對(duì)應(yīng)位置分別進(jìn)行切片后,利用電子掃描顯微鏡對(duì)截面進(jìn)行形貌觀察及成分分析,結(jié)果如下。

失效樣品:如圖8所示,切片后結(jié)果顯示:①漏電位置相鄰?fù)字g存在大量Sn結(jié)晶,局部發(fā)現(xiàn)Sn枝晶形貌,表明通孔之間產(chǎn)生了電遷移現(xiàn)象;②通孔之間最小電氣間隙為135μm;③右側(cè)焊盤發(fā)現(xiàn)較多焊錫殘留現(xiàn)象。

 

失效樣品漏電位置切片后截面SEM形貌及EDS圖譜

圖8. 失效樣品漏電位置切片后截面SEM形貌及EDS圖譜

 

正常樣品:如圖9所示,切片后結(jié)果顯示:①對(duì)應(yīng)通孔之間未見明顯金屬結(jié)晶及遷移形貌,主要為助焊劑殘留;②通孔之間最小電氣間隙為165μm;③右側(cè)焊盤發(fā)現(xiàn)少量焊錫殘留現(xiàn)象。

 

正常樣品對(duì)應(yīng)位置切片后截面SEM形貌及EDS圖譜

圖9. 正常樣品對(duì)應(yīng)位置切片后截面SEM形貌及EDS圖譜

 

以上結(jié)果可知,失效樣品較正常樣品,漏電通孔之間發(fā)現(xiàn)較多Sn結(jié)晶及局部Sn枝晶形貌,即存在Sn遷移,同時(shí)通孔之間最小電氣間隙偏小,右側(cè)焊盤發(fā)現(xiàn)較多焊錫殘留現(xiàn)象。

 

三、總結(jié)分析

 

本案失效背景為:產(chǎn)品在服役過(guò)程中出現(xiàn)功能故障,初步分析鎖定在PCBA局部漏電異常。

 

外觀檢查結(jié)果顯示,漏電位置疑似存在異物殘留現(xiàn)象,殘留異物覆蓋部分焊盤表面,正常樣品對(duì)應(yīng)位置存在類似現(xiàn)象,只是程度較輕微。

 

對(duì)失效樣品漏電位置進(jìn)行絕緣電阻測(cè)試,結(jié)果顯示,兩處漏電位置絕緣電阻分別為625.9MΩ及4.820MΩ,正常情況下兩處位置絕緣電阻無(wú)窮大,故失效樣品確實(shí)存在漏電異常。

 

表面分析結(jié)果顯示:①失效樣品漏電位置及正常樣品對(duì)應(yīng)位置都發(fā)現(xiàn)Sn遷移枝晶形貌及Sn結(jié)晶形貌,說(shuō)明二者均存在電遷移現(xiàn)象,只是正常樣品電遷移程度較輕微;②通孔之間形貌觀察顯示,失效樣品存在明顯Sn結(jié)晶現(xiàn)象,而正常樣品未見明顯異常;③失效樣品漏電位置及正常樣品對(duì)應(yīng)位置都發(fā)現(xiàn)較多助焊劑殘留現(xiàn)象,同時(shí)失效樣品漏電位置及周圍區(qū)域還發(fā)現(xiàn)異物殘留現(xiàn)象,異物含有異常K元素。

 

為了確認(rèn)異物成分,對(duì)失效樣品漏電位置及正常樣品對(duì)應(yīng)位置進(jìn)行FTIR分析,結(jié)果顯示,失效樣品漏電位置異物含有脂肪酸鹽成分,與陰離子表面活性劑成分相似。

 

剖面分析結(jié)果顯示,失效樣品較正常樣品,漏電通孔之間發(fā)現(xiàn)較多Sn結(jié)晶及局部Sn枝晶形貌,即存在Sn遷移,同時(shí)通孔之間最小電氣間隙偏小,右側(cè)焊盤發(fā)現(xiàn)較多焊錫殘留現(xiàn)象。

 

以上結(jié)果可知,導(dǎo)致PCBA局部漏電異常的直接原因?yàn)槭悠吠字g產(chǎn)生了Sn遷移現(xiàn)象。電遷移的產(chǎn)生必須具備以下幾個(gè)條件:①電勢(shì)差;②金屬離子;③潮濕環(huán)境。失效樣品通孔之間距離較正常樣品偏小,相同電壓條件下,具備更高的電場(chǎng)強(qiáng)度,有利于電遷移的發(fā)生;失效樣品及正常樣品表面都發(fā)現(xiàn)Sn遷移枝晶形貌,推測(cè)助焊劑具有較高活性,在潮濕環(huán)境下錫的氧化物(氧化錫)容易在酸的作用下形成錫離子;失效樣品漏電位置發(fā)現(xiàn)了含K元素的脂肪酸鹽成分,該物質(zhì)與陰離子表面活性劑成分相似,推測(cè)為清洗劑殘留,最可能為電遷移的發(fā)生提供潮濕環(huán)境。

 

故影響失效樣品電遷移的因素包括:①漏電位置焊錫及助焊劑大量殘留,為電遷移發(fā)生提供必要條件;②含K異物(脂肪酸鹽)污染,促進(jìn)了電遷移的發(fā)生進(jìn)程。

 

四、結(jié)論與建議

 

導(dǎo)致PCBA局部漏電異常的直接原因?yàn)槭悠吠字g產(chǎn)生了Sn遷移現(xiàn)象。Sn遷移的發(fā)生與通孔位置較多焊錫、助焊劑殘留及含K異物(脂肪酸鹽)污染有關(guān)。

 

建議:

1. 增加通孔之間距離,避免焊盤位置殘留焊錫;

2. 增加清洗工藝,避免較多助焊劑及異物殘留。

 

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簡(jiǎn)介

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